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应用材料公司CENTRIS ADVANTEDGE MESA刻蚀系统

时间:2012-02-05 21:49:31来源:物联网在线 作者:企业供稿 点击:
Centris AdvantEdge Mesa是应用材料公司最先进的刻蚀系统,能够为22纳米及更小技术节点的先进逻辑和存储芯片的成功制造提供所需要的精密度、智能化和生产力。结合应用材料公司领先业界的AdvantEdge Mesa刻蚀反应腔技术,Centris系统能够制造纳米级电路,并使每个硅片的一致性达到埃(10-10米)米级。这一能力对于实现芯片规模生产的高良率来说是必需的。

Applied Centris AdvantEdge Mesa EtchCentris AdvantEdge Mesa是应用材料公司最先进的刻蚀系统,能够为22纳米及更小技术节点的先进逻辑和存储芯片的成功制造提供所需要的精密度、智能化和生产力。结合应用材料公司领先业界的AdvantEdge Mesa刻蚀反应腔技术,Centris系统能够制造纳米级电路,并使每个硅片的一致性达到埃(10-10米)米级。这一能力对于实现芯片规模生产的高良率来说是必需的。

突破性的Centris平台配备了8个反应腔——6个刻蚀反应腔和2个等离子清洗腔。高速机械手最多每小时可处理180片硅片,速度几乎是同类产品的两倍。

用于去除刻蚀后卤素残留物的两个等离子清洗腔被整合在真空装载室。这一独特的创新大大增加了刻蚀反应腔的配置数量,使该系统的产能相对于传统硅刻蚀系统提高了一倍。

应用材料公司专有的“smart”系统监控软件以及NIST-可跟踪参考标准使6个刻蚀反应腔的性能保持精确匹配,确保每片被处理的硅片具有行业领先的亚纳米级关键尺寸(CD)一致性(3σ)。除能使每个硅片拥有无与伦比的一致性之外,Mesa技术还能让硅片内边到边都呈现非常平整一致的刻蚀轮廓,能够实现光刻模板的精确转移,大幅提高芯片良率。可选的Pulsync技术增加了一项创新的同步等离子脉冲功能,有利于实现精确的等离子控制,大大降低了微负载效应,从而优化图形结构和刻蚀精度。

Centris平台的耗水耗电量大大低于同类产品,可帮助芯片厂商实现他们的可持续发展制造计划。该平台每年减少的用水、用电和用气量,相当于减排60万磅二氧化碳 。和市场上现有的同类系统相比,它能够将客户的拥有成本降低30%。

Centris AdvantEdge Mesa系统主要用于刻蚀关键的浅沟槽隔离、埋入式位线和字线、以及两次成图芯片结构。该系统一流的性能可将刻蚀深度的不一致性控制在1%,并实现亚纳米级的关键尺寸(CD)一致性,从而帮助客户缩小电路尺寸,控制泄漏电流,并实现未来高度复杂芯片的生产的高良率。

Centris——性能卓越、值得传诵。


(责任编辑:ioter)
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