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利用反激、 SEPIC 和 Ćuk 组合为 IGBT 电机驱动产生多个隔离偏置轨

先进电机驱动应用采用基于三相绝缘栅极双极性晶体管 (IGBT)的逆变器,后者由通常在400 V dc到800 V dc范围内 的直流母线电压供电。该高压轨可以从三相整流器电桥滤 波器组合或功率因数经校正的升压整流器直接获得,从三 相交流输入产生高压轨(参见图1)。 IGBT是主功率开关,为电机各相提供(通常10 kHz)脉宽调 制(PWM)输出。感应和永磁电机一般具有高绕组电感,其 将此PWM电压集成到一个近似正弦形状的低频绕组电流 波形中。在较小驱动应用中,某些IGBT采用ADuM4223等 驱动器提供的单极性(如0 V至15 V)栅极驱动便能很好地工 作,但在较大系统中,通常要求双极性栅极驱动电平(如− 7.5 V和+15 V),并由ADuM4135等合适的驱动器驱动。负 关断电平有助于避免IGBT因杂散电容而导通——集电极到 发射极电压(VCE)的迅速上升(高正dV/dt)可能会引发这种情 况。这种高dV/dt一般是由其他器件的正常导通引起的。 (上管导通可能会引起下管在不希望导通时导通,反之亦 然。)这6个栅极驱动器需要电源来提供+15 V和−7.5 V偏置 电压。


(责任编辑:ioter)

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