英飞凌 HITFET™智能低边开关

英飞凌 的 HITFET™ 智能低侧开关是多功能功率晶体管,特别适合汽车和工业应用。它们内建的智能和保护特性不仅大幅降低了成本并减小了 PCB、缩短了上市时间,而且与常规、分立解决方案相比提高了性能和 & 可靠性。HITFET 智能低侧开关通过超温、短路、过流、过压和 ESD 保护特性,提供了更高程度的保护。HITFET 在一个易于使用的器件中综合了所有这些保护特性。凭借这些特性再加上英飞凌为世人所知的品质和可靠性,用户大可放心,即使是最具挑战性的应用要求,HITFET 也一定能够满足。
英飞凌 BTS3028/BTS3046/BTS3104 单通道低侧 MOSFET 功率开关采用 PG-T0252-3-11 封装,提供内建保护功能。该器件与一个 N 沟道垂直功率 FET 单片相集成,并嵌入保护功能。每个器件都满足汽车应用等级的要求,可用于 12V 和 24V 汽车和工业应用。
其他资源
BTS3028 Datasheet BTS3028 数据表
BTS3046 Datasheet BTS3046 数据表
BTS3104 Datasheet BTS3104 数据表
Infineon BTS3028/BTS3046/BTS3104 Single Channel Low-Side MOSFET Power Switches

 
特点
  • 短路和过载保护
  • 热关断并有锁定性能
  • ESD 保护
  • 过压保护
  • 逻辑电平输入适用于 5V 和 3.3V
  • 可模拟驱动
  • 12V 和 24V 可用性

  • 绿色产品(遵从 RoHS 指令)
  • 达到 AEC 级别

应用
  • 24V 应用
BTS3028/BTS3046/BTS3104 方框图
BTS3028/BTS3046/BTS3104 Block Diagram
英飞凌 BTS3256 单通道低侧功率开关采用 PG-TO-252-5-11 封装,并内建保护功能。HITFET™ 设计具有出色的保护和控制功能,适用于汽车和工业应用。该功率晶体管是 N 沟道垂直功率 MOSFET。该器件由采用智能功率技术(Smart Power Technology)的芯片进行控制。
 
特点
  • 专用引脚的压摆率控制,实现 EMC 优化转换或 PWM 工作
  • 最大开关频率 12kHz
  • 得益于重启延迟时间,在快速 PWM 工作过程中也可清晰检测数字故障信号
  • 通过时间控制的自动重启动作,实现热保护和过载保护
  • 时间和功率受限的主动电流限制
  • 通过 3.3V 或 5V 逻辑输入,达到最低 RDSDS(on)

  • 静电放电保护(ESD)
  • 极低泄漏电流
  • 绿色产品(遵从 RoHS 指令)
  • 通过 AEC (汽车电子设备委员会) 压力测试

应用
  • 电磁驱动器(传动系)
  • 车身控制器(内部照明调光)
Infineon BTS3256 Single Channel Low-Side Power Switch



其他资源
BTS3256 Datasheet BTS3256 数据表
BTS3256 方框图
BTS3256 Block Diagram

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